Today’s NEWS FEED

News Feed

Toshiba เปิดตัวโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและการย่อขนาดของอุปกรณ์อุตสาหกรรม

261

 

สำนักข่าวหุ้นอินไซด์(26 กุมภาพันธ์ 2564)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “MG800FXF2YMS3” โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่รวมชิป SiC MOSFET แบบสองช่องที่พัฒนาขึ้นใหม่ โดยมีค่า 3300V และ 800A สำหรับงานอุตสาหกรรม  ปริมาณการผลิตจะเริ่มต้นพฤษภาคม 2021

 

Toshiba: MG800FXF2YMS3, a silicon carbide (SiC) MOSFET module for industrial applications including railways vehicle and renewable energy power generation systems. (Graphic: Business Wire)


Toshiba: MG800FXF2YMS3 โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม รวมถึงยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

เพื่อให้ได้อุณหภูมิของช่องที่ 175°C ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ iXPLV (Intelligent fleXible Package Low Voltage) พร้อมด้วยเทคโนโลยีการเชื่อมภายในด้วยการหลอมด้วยเงินเพื่อสนับสนุนการติดตั้งอย่างกว้างขวาง  โมดูลใหม่นี้ตอบสนองความต้องการอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัดที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม เช่นตัวแปลงและอินเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน

การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์และตัวแปลงสำหรับยานพาหนะรถไฟ
  • ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน
  • อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

  • พิกัดแรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบาย: VDSS=3300V
  • กระแสระบาย: ID= 800Aคู่
  • ช่วงอุณหภูมิ: Tch=175°C
  • การสูญเสียต่ำ:
    Eon=250mJ (typ.)
    Eoff=240mJ (typ.)
    VDS(on)sense=1.6V (typ.)
  • Stray inductance ต่ำ: Ls= 12nH (typ.)
  • แพคเกจพลังงานสูง iXPLV ขนาดเล็ก

ข้อมูลจำเพาะหลัก

( ยกเว้นที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น @Tc=25°C)

หมายเลขชิ้น

MG800FXF2YMS3

แพคเกจ

iXPLV

ค่าสูงสุด

 

 

แรงดัน Drain-source VDSS (V)

3300

แรงดัน Gate-source VGSS (V)

+25/-10

กระแสระบาย (DC) ID (A)

800

กระแสร (pulsed) IDP (A)

1600

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

แรงดันแยกตัว VISOL (Vrms)

6000

คุณลักษณะไฟฟ้า

 

กระแส Drain-source แบบ on-voltage (sense)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V,

ID=800A

1.6

กระแส Source-drain แบบ on-voltage (sense)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V,

IS=800A

1.5

กระแส Source-drain แบบ off-voltage (sense)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS= -6V,

IS=800A

2.3

โมดูล Stray inductance LSPN typ. (nH)

12

การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่อง Eon typ. (mJ)

@VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C

250

การสูญเสียเมื่อปิดเครื่อง Eoff typ. (mJ)

@VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C

240

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

MG800FXF2YMS3 https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์พลังงาน SiC ของ Toshiba

SiC Power Devices https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
Small Signal Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก)
โทร: + 81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

 

 

อณุภา ศิริรวง

: รายงาน/เรียบเรียง โทร 02-276-5976 อีเมล์: reporter@hooninside.com ที่มา: สำนักข่าวหุ้นอินไซด์

บทความล่าสุด

HotNews: PROEN เคาะไอพีโอ 3.25 บ./หุ้น พร้อมเทรด mai 29 เม.ย.นี้

บมจ.โปรเอ็นคอร์ป (PROEN) เคาะราคาขายไอพีโอหุ้นละ 3.25 บาท เตรียมเปิดให้จองซื้อระหว่างวันที่ 21-23 เม.ย.นี้ .............

TPCH ร่วม MOU โครงการขยายผลการส่งเสริมการจัดทำคาร์บอนฟุตพริ้นท์ฯ

TPCH ร่วม MOU โครงการขยายผลการส่งเสริมการจัดทำคาร์บอนฟุตพริ้นท์ฯ

ตลาดเป็นใจ By: แม่มดน้อย

ตลาดหุ้นไทย ฟื้นตัวอีกครั้ง บรรยายกาศเป็นใจ ตลาดเป็นใจ บวก ตลาดต่างประเทศเปล่งแสงสีเขียว บ้านเรา ไม่ล็อกดาวน์หรือ....

สามารถติดตามหน้าเพจของ หุ้นอินไซด์ เพื่อรับข่าวเด่นและประเด็นที่คุณไม่ควรพลาดได้ตามขั้นตอนนี้